Внутренний SSD Transcend MTE220S TS512GMTE220S 512 ГБ M.2 2280 PCI-E 3x4 R/W - 3500/2500 Мб/с 3D-NAND 3bit TLC твердотельный накопитель компьютерной технологии.

Brand NameTRANSCENDOriginMainland ChinaTypeInternalStyleSSDSizeM.2 2280ApplicationLaptopInterface TypeM.2 2280Cooling FinNoRGBnoControllerSilicon Motion sm2262enNand Flash TypeTLCBus TypePCIe 3.0x44KB Random Write360000 IOPSMax Sequential Write2500 MB/s4KB Random Read190000 IOPSTransport ProtocolNVMEMTBF1.5 million hoursMax Sequential Read3500 MB/sMeasurement unitpiece/piecesSold insell_by_pieceEach pack1Package weight0.050Package size - length (cm)13Package size - width (cm)8Package size - height (cm)3Volume Drive512 GBForm factor2280Physical interfacePCI-E 3.x x4Key M.2 connectorMNVMeThere areControllerSilicon Motion sm2262enType of memory chipsNANDNumber of bits per cell3 bit TLCMemory structure3D NANDDRAM bufferThere areVolume DRAM buffer512 MBMaximum serial recording speed2500 MB/sMaximum serial reading speed3500 MB/sArbitrary recording speed 4 KB files (qd32)360000 IOPS4 KB random read speed files (qd32190000 IOPSBandwidth interface32 Gb/sMaximum recording resource (TBW)1100 TBDWPD1.18Hardware encryption dataNoNot availableNot availableDescription Твердотельный диск Transcend MTE220S, TS512GMTE220S, 512 Гб, M.2 2280, PCI-E 3x4, Чт/З - 3500/2500 Мб/с, 3D-NAND, 3 бит TLC

SSD M.2 накопитель Transcend MTE220S (TS512GMTE220S) предназначен для модернизации некоторых моделей ноутбуков, а также стационарных компьютеров.
Данная модель отличается скоростью чтения и записи файлов, которая достигает 3500 МБ/с и 2500 МБ/с, благодаря чему обеспечивается высокая скорость работы как отдельных приложений, так и всей системы в целом.
Это обусловлено использованием памяти типа NAND с объемной структурой и производительного контроллера Silicon Motion SM2262EN.
Также данная модель отличается большим ресурсом работы, который достигает 1100 TBW.
Среднее время между отказами составляет 1.5 млн часов.

Характеристики

Объем накопителя 512 Гб Форм-фактор 2280 Физический интерфейс PCI-E 3.x x4 Ключ M.2 разъема M NVMe Есть Контроллер Silicon Motion SM2262EN Тип чипов памяти NAND Количество бит на ячейку 3 бит TLC Структура памяти 3D NAND DRAM буфер Есть Объем DRAM буфера 512 Мб Максимальная скорость последовательной записи 2500 Мб/с Максимальная скорость последовательного чтения 3500 Мб/с Скорость произвольной записи 4 Кб файлов (QD32) 360000 IOPS Скорость произвольного чтения 4 Кб файлов (QD32 190000 IOPS Пропускная способность интерфейса  32 Гб/с Максимальный ресурс записи (TBW) 1100 Тб DWPD 1.18 Аппаратное шифрование данных Нет

---